US1M-E3/5AT

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US1M-E3/5AT

EXSHINE 部品型番:EX-US1M-E3/5AT
メーカー 部品型番:US1M-E3/5AT
メーカー / ブランド:Vishay / Semiconductor - Diodes Division
簡単な説明:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:US1A-1MPackaging Information
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US1M-E3/5AT
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製品パラメータ

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.7V @ 1A
電圧 - 逆(VR)(最大) 1000V (1kV)
サプライヤデバイスパッケージ DO-214AC (SMA)
速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 75ns
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース DO-214AC, SMA
他の名前 US1M-E3/5AT-ND
US1M-E3/5ATGITR
US1ME35AT
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 26 Weeks
製造元の部品番号 US1M-E3/5AT
拡張された説明 Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
ダイオードタイプ Standard
説明 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10µA @ 1000V
電流 - 平均整流(イオ​​) 1A
Vrと、F @キャパシタンス 10pF @ 4V, 1MHz

その他のパラメータ

他の名前 US1M-E3/5AT-ND

US1M-E3/5ATGITR

US1ME35AT
標準パッケージ 7,500

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Vishay Semiconductor Diodes Divisionはじめに

- ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはexshinetech.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。

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