EXSHINE 部品型番: | EX-SI4100DY-T1-E3 |
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メーカー 部品型番: | SI4100DY-T1-E3 |
メーカー / ブランド: | Vishay / Siliconix |
簡単な説明: | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
仕様条件: | New and unused, Original |
ドキュメントをダウンロードする: | SI4100DY |
アプリケーション: | - |
重さ: | - |
オルタナティブ: | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 63 mOhm @ 4.4A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
パッケージング | Original-Reel® |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4100DY-T1-E3DKR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
製造元の部品番号 | SI4100DY-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 600pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
拡張された説明 | N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
説明 | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.8A (Tc) |
標準パッケージ | 1 |
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他の名前 | SI4100DY-T1-E3DKR |
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ウエスタンユニオン 受信:1〜2時間。 |
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