SI4501BDY-T1-GE3

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SI4501BDY-T1-GE3

EXSHINE 部品型番:EX-SI4501BDY-T1-GE3
メーカー 部品型番:SI4501BDY-T1-GE3
メーカー / ブランド:Vishay / Siliconix
簡単な説明:MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:SI4501BDY
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SI4501BDY-T1-GE3
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 17 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大 4.5W, 3.1W
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前 SI4501BDY-T1-GE3DKR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 24 Weeks
製造元の部品番号 SI4501BDY-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 805pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 25nC @ 10V
FETタイプ N and P-Channel, Common Drain
FET特長 Logic Level Gate
拡張された説明 Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V, 8V
説明 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A, 8A

その他のパラメータ

標準パッケージ 1
他の名前 SI4501BDY-T1-GE3DKR

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Vishay Siliconixはじめに

- ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはexshinetech.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。

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