EXSHINE 部品型番: | EX-SI4752DY-T1-GE3 |
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メーカー 部品型番: | SI4752DY-T1-GE3 |
メーカー / ブランド: | Vishay / Siliconix |
簡単な説明: | MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
仕様条件: | New and unused, Original |
ドキュメントをダウンロードする: | SI4752DY-T1-GE3 |
アプリケーション: | - |
重さ: | - |
オルタナティブ: | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 1mA |
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技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | SkyFET®, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.5 mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | SI4752DY-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1700pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Body) |
拡張された説明 | N-Channel 30V 25A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
説明 | MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Tc) |
標準パッケージ | 2,500 |
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