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SI5429DU-T1-GE3
| EXSHINE 部品型番: | EX-SI5429DU-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | SI5429DU-T1-GE3 |
| メーカー / ブランド: | Vishay / Siliconix |
| 簡単な説明: | MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | Si5429DU |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
SI5429DU-T1-GE3
在庫あり： 59699 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® ChipFet Dual |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15 mOhm @ 7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| パッケージング | Original-Reel® |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 他の名前 | SI5429DU-T1-GE3DKR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | SI5429DU-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2320pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 63nC @ 10V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 拡張された説明 | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 1 |
|---|---|
| 他の名前 | SI5429DU-T1-GE3DKR |
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ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
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送金サービス 受信：1〜2時間。 |
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アリペイ 受け取り：すぐに。 |
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FEDEX EXPRESS 納期：1〜3日。 |
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Vishay Siliconixはじめに
- ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体（ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス）と受動部品（抵抗、インダクタ、コンデンサ）の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはexshinetech.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。