SIA533EDJ-T1-GE3

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SIA533EDJ-T1-GE3

EXSHINE 部品型番:EX-SIA533EDJ-T1-GE3
メーカー 部品型番:SIA533EDJ-T1-GE3
メーカー / ブランド:Vishay / Siliconix
簡単な説明:MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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SIA533EDJ-T1-GE3
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
電力 - 最大 7.8W
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6 Dual
他の名前 SIA533EDJ-T1-GE3TR
SIA533EDJT1GE3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 24 Weeks
製造元の部品番号 SIA533EDJ-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 420pF @ 6V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15nC @ 10V
FETタイプ N and P-Channel
FET特長 Logic Level Gate
拡張された説明 Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
ソース電圧(VDSS)にドレイン 12V
説明 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.5A

その他のパラメータ

他の名前 SIA533EDJ-T1-GE3TR

SIA533EDJT1GE3
標準パッケージ 3,000

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Vishay Siliconixはじめに

- ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはexshinetech.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。

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