写真は参考用です。より多くの写真が必要な場合はお問い合わせください
GAP3SLT33-214
| EXSHINE 部品型番: | EX-GAP3SLT33-214 |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | GAP3SLT33-214 |
| メーカー / ブランド: | GeneSiC Semiconductor |
| 簡単な説明: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | 1 |
| ドキュメントをダウンロードする: | GAP3SLT33-214 Datasheet |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
GAP3SLT33-214
在庫あり： 75030 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
在庫あり： 75030 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 2.2V @ 300mA |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 3300V (3.3kV) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AA |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0ns |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | DO-214AA, SMB |
| 他の名前 | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks |
| 製造元の部品番号 | GAP3SLT33-214 |
| 拡張された説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 説明 | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10µA @ 3300V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 300mA (DC) |
| Vrと、F @キャパシタンス | 42pF @ 1V, 1MHz |
その他のパラメータ
| 他の名前 | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 |
|---|---|
| 標準パッケージ | 500 |
以下のお支払い方法をお選びいただけます。ご不明な点がございましたら、営業までお問い合わせください。
|
|
T / T（銀行振込） 受け取り：1-4日。 |
|
|
ペイパル 受け取り：すぐに。 |
|
|
ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
|
|
送金サービス 受信：1〜2時間。 |
|
|
アリペイ 受け取り：すぐに。 |
以下の配送オプションを選択できます。弊社の営業チームに連絡して、お客様の住所への送料を確認してください。
配送サービスを利用したくない場合は、倉庫からの集荷の手配や、宅配便での発送も可能です。
 |
DHL EXPRESS 納期：1〜3日。 |
 |
FEDEX EXPRESS 納期：1〜3日。 |
 |
UPSエクスプレス 配達時間：2-4日。 |
 |
TNT EXPRESS 納期：3-6日。 |
 |
EMSエクスプレス 納期：7-10日。 |
関連商品
-
写真メーカー番号メーカー簡単な説明ドキュメントをダウンロードする目録単価オンライン注文 -
GAPM2054NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAPM2007NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAP200VORIGINALNew Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through Holeビューオンライン問い合わせ -
GAPM2004NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAPM2055NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAPM2014NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAPM2030NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAP201G-PLUSNew Stocks GAP201 G-PLUS QFNビューオンライン問い合わせ -
GAP05SLT80-220GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIALダウンロードセンタービューUS$ 295.486オンライン問い合わせ -
GAPM2012NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAP21ORIGINALLow Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through Holeビューオンライン問い合わせ -
GAPM2070PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAP07N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAP100ORIGINALGAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceビューオンライン問い合わせ -
GAP04N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsビューオンライン問い合わせ -
GAP34MDS4T0000POSIGAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low priceビューオンライン問い合わせ -
GAP3SLT33-220FPGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220ダウンロードセンタービューUS$ 10.984オンライン問い合わせ -
GAP123ORIGINALGAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceビューオンライン問い合わせ -
GAP529N/YGAP529 N/Y SIP3 new date code and low priceビューオンライン問い合わせ -
GAP3010TOSHIBAGAP3010 SMD or Through Hole Original Package Stockビューオンライン問い合わせ
GeneSiC Semiconductorはじめに
- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.（以下「GPTG」）は、SiC（Silicon Carbide）技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。