GAP3SLT33-220FP

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GAP3SLT33-220FP

EXSHINE 部品型番:EX-GAP3SLT33-220FP
メーカー 部品型番:GAP3SLT33-220FP
メーカー / ブランド:GeneSiC Semiconductor
簡単な説明:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:1
ドキュメントをダウンロードする:GAP3SLT33-220FP Datasheet
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GAP3SLT33-220FP
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製品パラメータ

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.7V @ 300mA
電圧 - 逆(VR)(最大) 3300V (3.3kV)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220FP
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 0ns
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
他の名前 1242-1183
GAP3SLT33220FP
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 18 Weeks
製造元の部品番号 GAP3SLT33-220FP
拡張された説明 Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
説明 DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 5µA @ 3300V
電流 - 平均整流(イオ​​) 300mA
Vrと、F @キャパシタンス 42pF @ 1V, 1MHz

その他のパラメータ

他の名前 1242-1183

GAP3SLT33220FP
標準パッケージ 500

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GeneSiC Semiconductorはじめに

- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.(以下「GPTG」)は、SiC(Silicon Carbide)技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。

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