RF4C050APTR

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RF4C050APTR

EXSHINE 部品型番:EX-RF4C050APTR
メーカー 部品型番:RF4C050APTR
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:1
ドキュメントをダウンロードする:RF4C050AP
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RF4C050APTR
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メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 1mA
Vgs(最大) -8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-HUML2020L8 (2x2)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 26 mOhm @ 5A, 4.5V
電力消費(最大) 2W (Ta)
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース 8-PowerUDFN
他の名前 RF4C050APTRDKR
RF4C050APTRDKR-ND
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
製造元の部品番号 RF4C050APTR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5500pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 55nC @ 4.5V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
拡張された説明 P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
説明 MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta)

その他のパラメータ

他の名前 RF4C050APTRDKR

RF4C050APTRDKR-ND
標準パッケージ 1

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- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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