RF4E070GNTR

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RF4E070GNTR

EXSHINE 部品型番:EX-RF4E070GNTR
メーカー 部品型番:RF4E070GNTR
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:1
ドキュメントをダウンロードする:RF4E070GN
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RF4E070GNTR
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メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-HUML2020L8 (2x2)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 21.4 mOhm @ 7A, 10V
電力消費(最大) 2W (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-PowerUDFN
他の名前 RF4E070GNTRTR
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
製造元の部品番号 RF4E070GNTR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 220pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 4.8nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
説明 MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7A (Ta)

その他のパラメータ

標準パッケージ 3,000
他の名前 RF4E070GNTRTR

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Rohm Semiconductorはじめに

- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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