SCT2120AFC

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SCT2120AFC

EXSHINE 部品型番:EX-SCT2120AFC
メーカー 部品型番:SCT2120AFC
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:1
ドキュメントをダウンロードする:SCT2120AF Datasheet
アプリケーション:-
重さ:-
オルタナティブ:-
のリアルタイム可用性
SCT2120AFC
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将来の在庫:7-10日で12000個。
メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 3.3mA
Vgs(最大) +22V, -6V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 156 mOhm @ 10A, 18V
電力消費(最大) 165W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3
運転温度 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 18 Weeks
製造元の部品番号 SCT2120AFC
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1200pF @ 500V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 61nC @ 18V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V
説明 MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 29A (Tc)

その他のパラメータ

標準パッケージ 1,000

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Rohm Semiconductorはじめに

- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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