SCT20N120

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SCT20N120

EXSHINE 部品型番:EX-SCT20N120
メーカー 部品型番:SCT20N120
メーカー / ブランド:STMicroelectronics
簡単な説明:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:1
ドキュメントをダウンロードする:SCT20N120Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
アプリケーション:-
重さ:-
オルタナティブ:-
のリアルタイム可用性
SCT20N120
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将来の在庫:7-10日で12000個。
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 1mA
Vgs(最大) +25V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 290 mOhm @ 10A, 20V
電力消費(最大) 175W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-247-3
他の名前 497-15170
運転温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 SCT20N120
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 650pF @ 400V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 45nC @ 20V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 20V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1200V (1.2kV)
説明 MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)

その他のパラメータ

標準パッケージ 30
他の名前 497-15170

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STMicroelectronicsはじめに

- Storm Interface - 同社の目的は、幅広い産業および公共アプリケーションで使用するための堅牢で応答性の高いデータ入力デバイスを開発、製造、販売することです。
Keymat Technology Ltd.は1986年3月に英国の非公開登録会社として設立されました。本社はヒースロー空港から北へわずか4マイルのロンドンの西側にある独自のフリーホーン構内にあります。同社の生産部門「ストーム・マニュファクチュアリング」はイングランド東海岸のマルドンを拠点とし、北アメリカの営業部門はシカゴのすぐ外のイリノイ州グレン・エリンにあります。
同社が開発したコアスイッチング技術は、国際特許および特許出願によって保護されています。これらの技術は引き続き開発され、新しく革新的な製品に組み入れられ、確立された製品範囲を補完し、補完します。
この継続的な開発戦略により、同社は単一の強力な商標「STORM」の下でより広範なデータ入力製品を販売することができました。これらは、今日の軍事、医療、産業および公共の環境で要求される厳しいエンジニアリングおよび性能基準を反映した高級ブランド製品です。

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