APTM10TDUM19PG

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APTM10TDUM19PG

EXSHINE 部品型番:EX-APTM10TDUM19PG
メーカー 部品型番:APTM10TDUM19PG
メーカー / ブランド:Microsemi
簡単な説明:MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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APTM10TDUM19PG
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA
サプライヤデバイスパッケージ SP6-P
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 21 mOhm @ 35A, 10V
電力 - 最大 208W
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SP6
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 APTM10TDUM19PG
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5100pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 200nC @ 10V
FETタイプ 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET特長 Standard
拡張された説明 Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V
説明 MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A

その他のパラメータ

標準パッケージ 1

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