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APTM120DA30CT1G
| EXSHINE 部品型番: | EX-APTM120DA30CT1G |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | APTM120DA30CT1G |
| メーカー / ブランド: | Microsemi |
| 簡単な説明: | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | APTM120DA30CT1G |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
APTM120DA30CT1G
在庫あり： 93550 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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メーカーリードタイム：8-10週間
- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| シリーズ | POWER MOS 8™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360 mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 657W (Tc) |
| パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 22 Weeks |
| 製造元の部品番号 | APTM120DA30CT1G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14560pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 560nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 拡張された説明 | N-Channel 1200V (1.2kV) 31A 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 1 |
|---|
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